2N5665SMD
BJT
NPN
TO-276AB
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
30.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-276AB |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 20 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 30 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5665SMD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5665SMD?
Los reemplazos compatibles para el 2N5665SMD incluyen: 2SC2625, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5551SC, 2N5655G, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5665SMD?
El 2N5665SMD es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-276AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5665SMD?
El 2N5665SMD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.