2N5666SMD05
BJT
NPN
TO-276AA
Parametros Principales
Vce Max.
200.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
30.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-276AA |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 20 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 200 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 30 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5666SMD05:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5666SMD05?
Los reemplazos compatibles para el 2N5666SMD05 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5660U3, 2N5661U3, 2N5664SMD, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5666SMD05?
El 2N5666SMD05 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-276AA.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5666SMD05?
El 2N5666SMD05 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.