2N5667S
BJT
NPN
TO39
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
400.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
15.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO39 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 20 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 120 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 400 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5667S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5667S?
Los reemplazos compatibles para el 2N5667S incluyen: 2SC2655, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5664SMD05, 2N5665N1, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5667S?
El 2N5667S es un transistor BJT NPN en encapsulado TO39.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5667S?
El 2N5667S tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 5.000 A.