2N5675
BJT
PNP
TO5
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Vcb Max.
125.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 80 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 125 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5675:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5675?
Los reemplazos compatibles para el 2N5675 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5665, 2N5665SM, 2N5666, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5675?
El 2N5675 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5675?
El 2N5675 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.