2N5681SMD05
BJT
NPN
TO-276AA
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
10.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-276AA |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 30 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5681SMD05:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5681SMD05?
Los reemplazos compatibles para el 2N5681SMD05 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5665N1, 2N5665SMD, 2N5666S, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5681SMD05?
El 2N5681SMD05 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-276AA.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5681SMD05?
El 2N5681SMD05 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.