2N5695
BJT
PNP
TO3P
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
60.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
110.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.2 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 60 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 2 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 110 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 120 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5695:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5695?
Los reemplazos compatibles para el 2N5695 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5688, 2N5689, 2N569, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5695?
El 2N5695 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5695?
El 2N5695 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 60.000 A.