2N5712
BJT
NPN
TO128
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO128 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 40 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5712:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5712?
Los reemplazos compatibles para el 2N5712 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5705, 2N5706, 2N5707, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5712?
El 2N5712 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO128.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5712?
El 2N5712 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.