2N5714
BJT
NPN
MD36
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
8.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
70.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MD36 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Collector Capacitance (Cc) | 160 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 175 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 70 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5714:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5714?
Los reemplazos compatibles para el 2N5714 incluyen: 2N3906, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5707, 2N5708, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5714?
El 2N5714 es un transistor BJT NPN en encapsulado MD36.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5714?
El 2N5714 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 8.000 A.