2N5762
BJT
NPN
X115
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.040 A
hFE Min
30.000
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | X115 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 3700 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 0.8 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.04 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 3 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.3 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 30 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5762:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5762?
Los reemplazos compatibles para el 2N5762 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N574A, 2N575, 2N5758, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5762?
El 2N5762 es un transistor BJT NPN en encapsulado X115.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5762?
El 2N5762 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.040 A.