2N5776

BJT NPN MD36

Parametros Principales

Vce Max. 35.000 V
Vcb Max. 65.000 V
Ic Max. 6.000 A
hFE Min 10.000
Potencia Max. 70.000 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package MD36
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Collector Capacitance (Cc) 50 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 3 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 65 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 35 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 70 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 10

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5776:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5776?

Los reemplazos compatibles para el 2N5776 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5769, 2N576A, 2N5770, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5776?

El 2N5776 es un transistor BJT NPN en encapsulado MD36.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5776?

El 2N5776 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 35.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 6.000 A.

Scroll al inicio