2N5785N1

BJT NPN TO276AA

Parametros Principales

Vce Max. 50.000 V
Vcb Max. 65.000 V
Ic Max. 3.500 A
hFE Min 20.000
Potencia Max. 25.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO276AA
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 20 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 3.5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 65 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 50 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 25 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 20

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5785N1:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5785N1?

Los reemplazos compatibles para el 2N5785N1 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5777, 2N5778, 2N5779, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5785N1?

El 2N5785N1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO276AA.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5785N1?

El 2N5785N1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.500 A.

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