2N5794UC

BJT NPN CHIP

Parametros Principales

Vce Max. 40.000 V
Vcb Max. 75.000 V
Ic Max. 0.600 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 0.600 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package CHIP
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Collector Capacitance (Cc) 8 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 75 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 40 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.6 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5794UC:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5794UC?

Los reemplazos compatibles para el 2N5794UC incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5782L, 2N5784SMD, 2N5784SMD05, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5794UC?

El 2N5794UC es un transistor BJT NPN en encapsulado CHIP.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5794UC?

El 2N5794UC tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.

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