2N5796U

BJT PNP CHIP

Parametros Principales

Vce Max. 60.000 V
Vcb Max. 60.000 V
Ic Max. 0.600 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 0.600 W
Tj Max. 175.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package CHIP
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Collector Capacitance (Cc) 8 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.6 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 60 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 175 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 0.6 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5796U:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5796U?

Los reemplazos compatibles para el 2N5796U incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5784SMD, 2N5784SMD05, 2N5785N1, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5796U?

El 2N5796U es un transistor BJT PNP en encapsulado CHIP.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5796U?

El 2N5796U tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.600 A.

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