2N5822
BJT
NPN
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
70.000 V
Ic Max.
0.750 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 120 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 15 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.75 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 70 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5822:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5822?
Los reemplazos compatibles para el 2N5822 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5815, 2N5816, 2N5817, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5822?
El 2N5822 es un transistor BJT NPN .
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5822?
El 2N5822 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.750 A.