2N5862

BJT NPN TO128

Parametros Principales

Vce Max. 35.000 V
Vcb Max. 65.000 V
Ic Max. 8.000 A
hFE Min 5.000
Potencia Max. 80.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO128
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Collector Capacitance (Cc) 130 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 8 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 4 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 65 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 35 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 80 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 5

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5862:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5862?

Los reemplazos compatibles para el 2N5862 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5855, 2N5856, 2N5857, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5862?

El 2N5862 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO128.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5862?

El 2N5862 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 35.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 8.000 A.

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