2N5871-2
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
45.000 V
Vcb Max.
45.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 200 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 45 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 45 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5871-2:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5871-2?
Los reemplazos compatibles para el 2N5871-2 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5865, 2N5867, 2N5868, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5871-2?
El 2N5871-2 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5871-2?
El 2N5871-2 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 45.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.