2N5872B
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vce Max.
120.000 V
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
100.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 500 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 100 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5872B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5872B?
Los reemplazos compatibles para el 2N5872B incluyen: 2SC2879, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5869, 2N587, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5872B?
El 2N5872B es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5872B?
El 2N5872B tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 120.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.