2N5909
MOSFET
N-Channel
TO-99
Parametros Principales
Vds Max.
40.000 V
Id Max.
0.001 A
Vgs Max.
4.600 V
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-99 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.0005 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 4.6 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5909:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5909?
Los reemplazos compatibles para el 2N5909 incluyen: 2N5639, 2N5902, 2N5903, 2N5904, 2N5905, 2N5906, 2N5907, 2N5908, 2N5911, 2N5912, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5909?
El 2N5909 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-99.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5909?
El 2N5909 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.001 A.