2N5917
BJT
NPN
MM17
Parametros Principales
Vce Max.
24.000 V
Vcb Max.
55.000 V
Ic Max.
0.200 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
4.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MM17 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 400 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 4.5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 3 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 55 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 24 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 4 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5917:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5917?
Los reemplazos compatibles para el 2N5917 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SC5200, 2N5901, 2N591, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5917?
El 2N5917 es un transistor BJT NPN en encapsulado MM17.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5917?
El 2N5917 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 24.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.200 A.