2N591A
BJT
PNP
TO1
Parametros Principales
Vce Max.
32.000 V
Vcb Max.
32.000 V
Ic Max.
0.020 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
0.050 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.2 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.02 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 32 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 32 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.05 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N591A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N591A?
Los reemplazos compatibles para el 2N591A incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5915, 2N591-5, 2N5916, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N591A?
El 2N591A es un transistor BJT PNP en encapsulado TO1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N591A?
El 2N591A tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 32.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.020 A.