2N5920
BJT
NPN
TO251
Parametros Principales
Vce Max.
35.000 V
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
0.250 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
3.500 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO251 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 2000 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 3 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.25 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 3 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 35 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 3.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5920:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5920?
Los reemplazos compatibles para el 2N5920 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5916, 2N5917, 2N5918, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5920?
El 2N5920 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO251.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5920?
El 2N5920 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 35.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.250 A.