2N5921

BJT NPN TO251

Parametros Principales

Vce Max. 35.000 V
Vcb Max. 50.000 V
Ic Max. 0.700 A
hFE Min 5.000
Potencia Max. 14.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO251
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 2000 MHz
Collector Capacitance (Cc) 8.5 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 0.7 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 3 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 35 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 14 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 5

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5921:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N5921?

Los reemplazos compatibles para el 2N5921 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5917, 2N5918, 2N5918A, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N5921?

El 2N5921 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO251.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N5921?

El 2N5921 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 35.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.700 A.

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