2N5922
BJT
NPN
TO128
Parametros Principales
Vce Max.
35.000 V
Vcb Max.
55.000 V
Ic Max.
0.425 A
Potencia Max.
5.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO128 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 1000 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.425 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 3 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 55 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 35 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 5 W |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N5922:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N5922?
Los reemplazos compatibles para el 2N5922 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5918, 2N5918A, 2N5919, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N5922?
El 2N5922 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO128.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N5922?
El 2N5922 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 35.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.425 A.