2N6009
BJT
PNP
TO92
Parametros Principales
Vce Max.
25.000 V
Vcb Max.
35.000 V
Ic Max.
0.500 A
hFE Min
120.000
Potencia Max.
0.400 W
Tj Max.
125.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 140 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 8 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 35 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 125 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.4 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 120 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6009:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6009?
Los reemplazos compatibles para el 2N6009 incluyen: 2N2222, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6001, 2N6002, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6009?
El 2N6009 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6009?
El 2N6009 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.500 A.