2N6012
BJT
NPN
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
0.800 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 240 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 10 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6012:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6012?
Los reemplazos compatibles para el 2N6012 incluyen: 2N3055, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6005, 2N6006, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6012?
El 2N6012 es un transistor BJT NPN .
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6012?
El 2N6012 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.800 A.