2N6040G

BJT PNP TO220AB

Parametros Principales

Vce Max. 60.000 V
Vcb Max. 60.000 V
Ic Max. 8.000 A
hFE Min 1000.000
Potencia Max. 75.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220AB
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 4 MHz
Collector Capacitance (Cc) 300 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 8 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 5 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 60 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 60 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 75 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 1000

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6040G:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6040G?

Los reemplazos compatibles para el 2N6040G incluyen: 2N2907, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5884G, 2N5885G, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6040G?

El 2N6040G es un transistor BJT PNP en encapsulado TO220AB.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6040G?

El 2N6040G tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 8.000 A.

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