2N6063

BJT NPN TO61

Parametros Principales

Vce Max. 100.000 V
Vcb Max. 100.000 V
Ic Max. 50.000 A
hFE Min 20.000
Potencia Max. 150.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO61
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 10 MHz
Collector Capacitance (Cc) 1000 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 50 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 10 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 100 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 100 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 150 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 20

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6063:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6063?

Los reemplazos compatibles para el 2N6063 incluyen: 2SC2240, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6056, 2N6057, y 16 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6063?

El 2N6063 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO61.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6063?

El 2N6063 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 50.000 A.

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