2N6096
BJT
PNP
211-01
Parametros Principales
Vce Max.
18.000 V
Vcb Max.
36.000 V
Ic Max.
4.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | 211-01 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 175 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 190 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 36 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 18 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 40 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6096:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6096?
Los reemplazos compatibles para el 2N6096 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6089, 2N609, 2N6090, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6096?
El 2N6096 es un transistor BJT PNP en encapsulado 211-01.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6096?
El 2N6096 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 18.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 4.000 A.