2N60G
MOSFET
N-Channel
TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
5.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
44.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 44 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N60G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N60G?
Los reemplazos compatibles para el 2N60G incluyen: 2N5653, 2N5654, 2N60AF, 2N6568, 2N6659-2, 2N6659X, 2N6660-2, 2N6660C4A, 2N6660CSM4, 2N6661-2, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N60G?
El 2N60G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N60G?
El 2N60G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.