2N60L-TMS2-T

MOSFET N-Channel TO-251S2

Parametros Principales

Vds Max. 600.000 V
Id Max. 2.000 A
RDSon 4.6000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 44.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO-251S2
tr - Rise Time 24 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 36 pF
|Id| - Maximum Drain Current 2 A
Pd - Maximum Power Dissipation 44 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 4.6 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N60L-TMS2-T:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N60L-TMS2-T?

Los reemplazos compatibles para el 2N60L-TMS2-T incluyen: 2N60L-TF2-T, 2N60G-TF2-T, 2N60L-TF3T-T, 2N60G-TF3T-T, 2N60G-K08-5060-R, 2N60L-TM3-T, 2N60L-TMS-T, 2N60G-TMS-T, 2N60G-TMS2-T, 2N60L-TMA-T, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N60L-TMS2-T?

El 2N60L-TMS2-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251S2.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N60L-TMS2-T?

El 2N60L-TMS2-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.

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