2N6166

BJT NPN 211-10

Parametros Principales

Vce Max. 35.000 V
Vcb Max. 65.000 V
Ic Max. 9.000 A
hFE Min 5.000
Potencia Max. 100.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package 211-10
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 150 MHz
Collector Capacitance (Cc) 130 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 9 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 4 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 65 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 35 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 100 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 5

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6166:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6166?

Los reemplazos compatibles para el 2N6166 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6132, 2N6133, 2N6134, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6166?

El 2N6166 es un transistor BJT NPN en encapsulado 211-10.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6166?

El 2N6166 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 35.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 9.000 A.

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