2N6212
BJT
PNP
TO66
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
350.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
35.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO66 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 20 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 220 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 350 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 35 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6212:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6212?
Los reemplazos compatibles para el 2N6212 incluyen: 2SB649, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6203, 2N6204, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6212?
El 2N6212 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO66.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6212?
El 2N6212 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.