2N6232-4
BJT
NPN
TO18
Parametros Principales
Vce Max.
140.000 V
Vcb Max.
140.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
60.000
Potencia Max.
15.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO18 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 20 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 140 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 140 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 60 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6232-4:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6232-4?
Los reemplazos compatibles para el 2N6232-4 incluyen: 2N2222, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6226, 2N6227, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6232-4?
El 2N6232-4 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO18.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6232-4?
El 2N6232-4 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 140.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.