2N6251T1
BJT
NPN
TO254
Parametros Principales
Vce Max.
350.000 V
Vcb Max.
450.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
6.000
Potencia Max.
175.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO254 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 2.5 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 500 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 450 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 350 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 175 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 6 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6251T1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6251T1?
Los reemplazos compatibles para el 2N6251T1 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6107G, 2N6109G, 2N6111G, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6251T1?
El 2N6251T1 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO254.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6251T1?
El 2N6251T1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 350.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 10.000 A.
