2N6301SMD
BJT
NPN
TO276AB
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
8.000 A
hFE Min
750.000
Potencia Max.
75.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO276AB |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 4 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 200 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 75 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 750 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6301SMD:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6301SMD?
Los reemplazos compatibles para el 2N6301SMD incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N5401, 2N6251T1, 2N6284G, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6301SMD?
El 2N6301SMD es un transistor BJT NPN en encapsulado TO276AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6301SMD?
El 2N6301SMD tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 8.000 A.