2N6325
BJT
NPN
TO61
Parametros Principales
Vce Max.
300.000 V
Vcb Max.
400.000 V
Ic Max.
30.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
200.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO61 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 30 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 400 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 300 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 200 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6325:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6325?
Los reemplazos compatibles para el 2N6325 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2SC5200, 2N6318, 2N6319, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6325?
El 2N6325 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO61.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6325?
El 2N6325 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 300.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 30.000 A.