2N6351
BJT
NPN
TO33
Parametros Principales
Vcb Max.
150.000 V
Ic Max.
5.000 A
hFE Min
1000.000
Potencia Max.
5.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO33 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 40 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 12 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 150 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 1000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6351:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6351?
Los reemplazos compatibles para el 2N6351 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6340, 2N6340A, 2N6341, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6351?
El 2N6351 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO33.