2N6371HV
BJT
NPN
TO-3
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Ic Max.
15.000 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
90.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 2.5 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 15 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 90 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6371HV:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6371HV?
Los reemplazos compatibles para el 2N6371HV incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2CF2325, 2N23867, 2N3055HV, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6371HV?
El 2N6371HV es un transistor BJT NPN en encapsulado TO-3.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6371HV?
El 2N6371HV tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 15.000 A.