2N6406
BJT
PNP
X104-1
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
12.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | X104-1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 50 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 12 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6406:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6406?
Los reemplazos compatibles para el 2N6406 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6390, 2N6391, 2N6392, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6406?
El 2N6406 es un transistor BJT PNP en encapsulado X104-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6406?
El 2N6406 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.