2N6410
BJT
NPN
X104-1
Parametros Principales
Vce Max.
25.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
4.000 A
hFE Min
45.000
Potencia Max.
15.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | X104-1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 50 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 80 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 4 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 25 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 45 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6410:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6410?
Los reemplazos compatibles para el 2N6410 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N639B, 2N64, 2N640, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6410?
El 2N6410 es un transistor BJT NPN en encapsulado X104-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6410?
El 2N6410 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 4.000 A.