2N6411

BJT PNP X104-1

Parametros Principales

Vce Max. 25.000 V
Vcb Max. 40.000 V
Ic Max. 4.000 A
hFE Min 45.000
Potencia Max. 15.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package X104-1
Polarity PNP
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 50 MHz
Collector Capacitance (Cc) 120 pF
Maximum Collector Current |Ic max| 4 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 40 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 25 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 15 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 45

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6411:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6411?

Los reemplazos compatibles para el 2N6411 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N64, 2N640, 2N6406, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6411?

El 2N6411 es un transistor BJT PNP en encapsulado X104-1.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6411?

El 2N6411 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 4.000 A.

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