2N6416
BJT
NPN
X104-1
Parametros Principales
Vce Max.
80.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
40.000
Potencia Max.
15.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | X104-1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 40 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 50 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 80 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 15 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 40 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6416:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6416?
Los reemplazos compatibles para el 2N6416 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6409, 2N641, 2N6410, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6416?
El 2N6416 es un transistor BJT NPN en encapsulado X104-1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6416?
El 2N6416 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 80.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.