2N6463

BJT NPN TO39

Parametros Principales

Vce Max. 250.000 V
Vcb Max. 250.000 V
Ic Max. 0.100 A
hFE Min 30.000
Potencia Max. 1.000 W
Tj Max. 200.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO39
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Transition Frequency (ft) 200 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 0.1 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 250 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 250 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 200 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 30

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6463:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N6463?

Los reemplazos compatibles para el 2N6463 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6456, 2N6457, 2N6458, y 15 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N6463?

El 2N6463 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO39.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N6463?

El 2N6463 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 250.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.

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