2N6481
BJT
NPN
X21
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
12.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
117.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | X21 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 100 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 400 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 12 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 117 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6481:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6481?
Los reemplazos compatibles para el 2N6481 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6474, 2N6475, 2N6476, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6481?
El 2N6481 es un transistor BJT NPN en encapsulado X21.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6481?
El 2N6481 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 12.000 A.