2N649-5
BJT
NPN
TO5
Parametros Principales
Vce Max.
18.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.100 W
Tj Max.
120.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 12 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 2 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 18 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 120 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N649-5:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N649-5?
Los reemplazos compatibles para el 2N649-5 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N649, 2N6490, 2N6491, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N649-5?
El 2N649-5 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N649-5?
El 2N649-5 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 18.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.