2N65-TO252
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
3.8000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 40 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 3.8 typ Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N65-TO252:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N65-TO252?
Los reemplazos compatibles para el 2N65-TO252 incluyen: 1N60L-TM3-T, 20N03L-TO252, 20N06L-TO252, 20N3LG-TO251, 20P06-TO252, 25N06L-TN3, 25NF20, 2N0623, 2SJ530STL, 2SJ598-Z-E1.
¿Que tipo de transistor es el 2N65-TO252?
El 2N65-TO252 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N65-TO252?
El 2N65-TO252 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.