2N6501
BJT
NPN
TO86-2
Parametros Principales
Vce Max.
40.000 V
Vcb Max.
80.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
50.000
Potencia Max.
0.600 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO86-2 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 250 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 10 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 6 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 80 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 40 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.6 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 50 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6501:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6501?
Los reemplazos compatibles para el 2N6501 incluyen: 2SC3320, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N649-5, 2N6496, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6501?
El 2N6501 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO86-2.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6501?
El 2N6501 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 40.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.