2N6532
BJT
NPN
TO66
Parametros Principales
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
8.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
26.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO66 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 20 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 8 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 26 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6532:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6532?
Los reemplazos compatibles para el 2N6532 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6526, 2N6527, 2N6528, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6532?
El 2N6532 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO66.