2N6556
BJT
PNP
TO202
Parametros Principales
Vce Max.
100.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
80.000
Potencia Max.
2.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO202 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 75 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 100 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 80 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6556:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6556?
Los reemplazos compatibles para el 2N6556 incluyen: 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6548, 2N6549, 2N655, y 15 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6556?
El 2N6556 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO202.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6556?
El 2N6556 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 100.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.