2N6572
BJT
NPN
XM5
Parametros Principales
Vce Max.
30.000 V
Vcb Max.
60.000 V
Ic Max.
12.000 A
hFE Min
35.000
Potencia Max.
250.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | XM5 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 12 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 4 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 60 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 250 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 35 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N6572:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N6572?
Los reemplazos compatibles para el 2N6572 incluyen: 2SB817, 2N5322R, 2N5322V, 2N5322W, 2N5322Y, 2N5323, 2N5323BL, 2N5323BR, 2N6566, 2N6567, y 16 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N6572?
El 2N6572 es un transistor BJT NPN en encapsulado XM5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N6572?
El 2N6572 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 12.000 A.